吴汉明 院士

1987年毕业于中国科学院力学研究所，获博士学位。曾任中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁。长期工作在我国集成电路芯片产业并做出突出贡献。主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发，攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点，与世界先进水平差距明显缩小。用理论模型支持我国首台大生产等离子体刻蚀机研发。创建了设计IP核技术公共平台，支持芯片制造产业链协同发展。建立的非平衡态低温等离子体混合模型/整体模型作为教案被世界著名大学教科书采用。担任973项目首席科学家负责“量子点存储器和磁存储器技术研发”。发表著作论文116篇。授权发明专利67项。曾获得“北京学者”、“十佳全国优秀科技工作者” 和“全国杰出专业技术人才”等荣誉。作为主要成员，三次获国家科技二等奖，多次获省部科技奖。2019年当选中国工程院院士。2020年12月入选为联盟的顾问。